Polycrystalline SiC as source material for the growth of fluorescent SiC layers

QC 20130829
Polycrystalline doped SiC act as source for fluorescent SiC. We have studied the growth of individual grains with different polytypes in the source material. We show an evolution and orientation of grains of different polytypes in polycrystalline SiC ingots grown by the Physical Vapor Transport method. The grain influence on the growth rate of fluorescent SiC layers grown by a sublimation epitaxial process is discussed in respect of surface kinetics.

Hupfer, T.University of Erlangen-Nuremberg, Germany (författare)
Jokubavicius, ValdasLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)valjo12 (författare)
Schimmel, S.University of Erlangen-Nuremberg, Germany (författare)
Syväjärvi, MikaelLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)miksy08 (författare)
Ou, Y.Technical University of Denmark, Lyngby (författare)
Ou, H.Technical University of Denmark, Lyngby (författare)
Linnarsson, Margareta K.KTH,Integrerade komponenter och kretsar,KTH Royal Institute of Technology, Kista, Sweden(Swepub:kth)u1x6y4ru (författare)
Wellmann, P.University of Erlangen-Nuremberg, Germany (författare)
University of Erlangen-Nuremberg, GermanyHalvledarmaterial (creator_code:org_t)

Ingår i:Silicon Carbide And Related Materials 2012: Trans Tech Publications Inc., s. 39-429783037856246

Av författaren/redakt...: Kaiser, M.; Hupfer, T.; Jokubavicius, Va ...; Schimmel, S.; Syväjärvi, Mikae ...; Ou, Y.; visa fler...; Ou, H.; Linnarsson, Marg ...; Wellmann, P.; visa färre...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.