L773:9780878493340
Sökning: L773:9780878493340 > P-type 3C-SiC Grown...
P-type 3C-SiC Grown by Sublimation Epitaxy on 6H-SiC Substrates
- Lebedev, S.P. (författare)
- Lebedev, A.A. (författare)
- Abramov, P.L. (författare)
- visa fler...
- Bogdanova, E.V. (författare)
- Nel¿son, D.K. (författare)
- Oganesyan, G.A. (författare)
- Tregubova, A.S. (författare)
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- Materials Science Forum Vols. 615-617 : Trans Tech Publications, 2009
- 2009
- Engelska.
- Ingår i: ECSCRM2008,2008. - Materials Science Forum Vols. 615-617 : Trans Tech Publications. - 9780878493340 ; , s. 177-180
- Konferensbidrag (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Highly doped p-3C-SiC layers of good crystal perfection have been grown by sublimation epitaxy in vacuum. Analysis of the photoluminescence (PL) spectra and temperature dependence of the carrier concentration shows that at least two types of acceptor centers at ~EV + 0.25 eV and at EV + 0.06-0.07 eV exist in the samples studied. A conclusion is made that layers of this kind can be used as p-emitters in 3C-SiC devices.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Lebedev, S.P.
- Lebedev, A.A.
- Abramov, P.L.
- Bogdanova, E.V.
- Nel¿son, D.K.
- Oganesyan, G.A.
- visa fler...
- Tregubova, A.S.
- Yakimova, Rosits ...
- visa färre...
- Artiklar i publikationen
- ECSCRM2008,2008
- Av lärosätet
- Linköpings universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
